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臺(tái)媒稱2020年iPhone芯片將采用臺(tái)積電5納米工藝

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2019-02-23 09:00:25 字號(hào)：A- A A+ 來(lái)源：觀察者網(wǎng)

關(guān)鍵字: 臺(tái)積電

（觀察者網(wǎng)訊）一周前，有消息稱今年iPhone 的A13 芯片將繼續(xù)使用與A12 相同的7 納米工藝制造。而據(jù)臺(tái)媒Digitimes 22日?qǐng)?bào)道稱，2020 年iPhone 的芯片將使用更先進(jìn)的制造工藝。臺(tái)積電預(yù)計(jì)明年將獲得蘋(píng)果公司的首批5 納米芯片訂單。

報(bào)道截圖

值得注意的是，制程工藝與性能沒(méi)有直接關(guān)系，但是晶體管之間的較小間隙通常意味著在相同面積中會(huì)有更多的晶體管，更好的效率就會(huì)帶來(lái)性能上的提升。

據(jù)了解，蘋(píng)果公司在2018年首先推出了7nm工藝打造的A12芯片。iPhone XS 系列搭載的 A12 芯片和 iPad Pro 搭載的 A12X 芯片性能至今仍然無(wú)法被 Android 旗艦手機(jī)超越。

Digitimes 在之前的報(bào)道中表示，2019年A13 芯片將繼續(xù)采用7 納米工藝生產(chǎn)，第二季度的量產(chǎn)將會(huì)增加。但臺(tái)積電將首次采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)。EUV可以將更復(fù)雜的微小圖案排列在芯片上。臺(tái)積電將在四個(gè)關(guān)鍵層上首次應(yīng)用EUV技術(shù)。

極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作 EUV 光刻，它以波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長(zhǎng)為13.4nm 的軟x 射線。極紫外線就是指需要通過(guò)通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。
標(biāo)簽臺(tái)積電
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