【文/觀察者網(wǎng) 呂棟 編輯/周遠(yuǎn)方】

8月3日午后，A股半導(dǎo)體概念持續(xù)上揚(yáng)，半導(dǎo)體指數(shù)盤(pán)中漲近6%，收盤(pán)漲逾3%；重倉(cāng)半導(dǎo)體的基金“諾安成長(zhǎng)混合”盤(pán)中最高漲超4%，收盤(pán)漲幅收窄至3%左右。

大型晶圓代工廠中，中芯國(guó)際A股收漲近7%，港股漲超4%；華虹半導(dǎo)體港股收漲近3%。

有券商分析指出，美國(guó)近期通過(guò)芯片法案，將為美國(guó)半導(dǎo)體制造提供520億美元補(bǔ)貼，而該法案要求獲補(bǔ)助的公司，10年內(nèi)不得在中國(guó)大陸大幅增產(chǎn)比28nm更先進(jìn)的芯片，這一消息或推動(dòng)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化加速。

就在8月2日，臺(tái)媒傳出竄訪(fǎng)臺(tái)灣的佩洛西可能會(huì)與臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音討論美國(guó)芯片法案，而劉德音日前直言“如果發(fā)生戰(zhàn)爭(zhēng)，臺(tái)積電將無(wú)法運(yùn)作”，凸顯出地緣政治局勢(shì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響。

有業(yè)內(nèi)人士近日向觀察者網(wǎng)指出，過(guò)去兩年的全球芯片短缺，疊加某些國(guó)家的“逆全球化”政策，導(dǎo)致這些半導(dǎo)體巨頭或主動(dòng)或被動(dòng)地宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，甚至要把生產(chǎn)基地搬遷到最大市場(chǎng)之外。如果之后整個(gè)行業(yè)需求沒(méi)有增加，甚至出現(xiàn)下降，這些公司將會(huì)面臨額外的壓力。

諾安成長(zhǎng)混合8月3日走勢(shì)

8月3日，在A股半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域中，漲幅最高的是EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）概念，華大九天午后漲近26%，概倫電子盤(pán)中漲幅也在20%左右。即便尾盤(pán)有所回落，兩家公司收盤(pán)漲幅也均超過(guò)15%。

消息層面，美國(guó)科技媒體“Protocol”8月2日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，美國(guó)政府準(zhǔn)備對(duì)用于設(shè)計(jì)半導(dǎo)體的特定類(lèi)型EDA軟件實(shí)施新的出口限制，這種軟件利用的新一代技術(shù)對(duì)設(shè)計(jì)和制造最先進(jìn)的人工智能芯片至關(guān)重要。新的出口限制可能在未來(lái)幾周實(shí)施，拜登政府仍在敲定具體限制細(xì)節(jié)。

這或許是刺激國(guó)產(chǎn)EDA概念大幅上漲的重要原因。賽迪智庫(kù)數(shù)據(jù)顯示，2020年Synopsys、Cadence和Mentor（已改名Seimens EDA）三大美國(guó)EDA巨頭合計(jì)占據(jù)國(guó)內(nèi)約80%的市場(chǎng)份額，國(guó)產(chǎn)EDA企業(yè)的份額僅11.5%，其中華大九天國(guó)內(nèi)份額約6%。

EDA之外，光刻膠概念也持續(xù)走強(qiáng)，新萊應(yīng)材大漲超15%創(chuàng)歷史新高，廣信材料、容大感光漲超10%，彤程新材漲停，芯源微、南大光電、安集科技、華特氣體、藍(lán)英裝備等跟漲。

南大光電近期在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，該公司光刻膠項(xiàng)目所需的光刻車(chē)間已建成，項(xiàng)目所需的主要先進(jìn)光刻設(shè)備，如ASML浸沒(méi)式光刻機(jī)等已經(jīng)完成安裝并投入使用；已經(jīng)生產(chǎn)出多款樣品發(fā)往下游客戶(hù)驗(yàn)證，已具備ArF光刻膠及配套材料產(chǎn)業(yè)化的基本條件。

在去年的公告中，南大光電曾透露，該公司ArF光刻膠材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝，廣泛應(yīng)用于高端芯片制造（如邏輯芯片、 存儲(chǔ)芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計(jì)算芯片等）；寧波南大光電已建成年產(chǎn)25噸ArF光刻膠產(chǎn)業(yè)化基地。

晶瑞電材則在今年7月底在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，該公司KrF（248nm深紫外）光刻膠產(chǎn)品分辨率達(dá)到了0.25～0.13μm的技術(shù)要求，已通過(guò)部分重要客戶(hù)測(cè)試，KrF光刻膠生產(chǎn)及測(cè)試線(xiàn)已經(jīng)基本建成，設(shè)備正在安裝調(diào)試中，爭(zhēng)取今年批量供貨。

與光刻機(jī)配套，目前最高端的光刻膠也是EUV光刻膠，僅美日廠商實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。就在今年5月，日本光刻膠巨頭JSR高管曾宣稱(chēng)，“即使中國(guó)拿到一份關(guān)于（EUV光刻膠）化學(xué)成分細(xì)節(jié)的論文……，要在純度、精度和大規(guī)模量產(chǎn)方面實(shí)現(xiàn)成功也是非常困難的。”

圖源：華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)

材料之外，半導(dǎo)體設(shè)備概念也紛紛走高，中微公司盤(pán)中漲超7%，北方華創(chuàng)漲超9%，拓荊科技漲近8%。

市場(chǎng)傳出，2022年下半年，中微半導(dǎo)體的刻蝕機(jī)將運(yùn)往臺(tái)積電美國(guó)工廠，用于5nm工藝芯片生產(chǎn)。

技術(shù)的進(jìn)展之外，刺激股價(jià)的還有外部因素。7月31日，彭博社援引美國(guó)兩大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商泛林集團(tuán)和科天的消息報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)政府正收緊對(duì)中國(guó)出口半導(dǎo)體制造設(shè)備的限制，禁止未經(jīng)許可向中國(guó)大陸芯片制造商出售大多數(shù)可以制造14nm或更先進(jìn)制程芯片的設(shè)備。

8月1日，路透社又援引四位知情人士的消息報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)政府正考慮限制向中國(guó)大陸存儲(chǔ)芯片制造商出口可用于128層以上3D NAND閃存芯片制造的美國(guó)設(shè)備。長(zhǎng)江存儲(chǔ)等中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商，以及在華設(shè)廠的韓國(guó)企業(yè)三星和SK海力士都可能受到波及。

值得一提的是，8月3日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了基于晶棧?3.0（Xtacking?3.0）技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。按照供應(yīng)鏈信息，此次長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布的新品堆疊層數(shù)已達(dá)到232層，追上業(yè)界領(lǐng)先水平。

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)，目前美光已開(kāi)始量產(chǎn)232層NAND產(chǎn)品；SK海力士已向客戶(hù)發(fā)送238層512Gb TLC 4D NAND閃存樣品，并計(jì)劃在2023年上半年正式量產(chǎn)。另外，市場(chǎng)有消息稱(chēng)三星或?qū)⒃?022年底或2023年上半年量產(chǎn)224層3D NAND；西部數(shù)據(jù)下一代BiCS 7的堆疊層數(shù)預(yù)計(jì)也將達(dá)到212層。

全球主要閃存芯片供應(yīng)商技術(shù)路線(xiàn) 圖源：CFM閃存市場(chǎng)

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