（觀察者網(wǎng)訊 文/呂棟 編輯/尹哲）

被稱為中國(guó)三大存儲(chǔ)芯片廠商之一的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在專利來源方面取得重要突破。

12月5日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在官方微信公號(hào)宣布，通過加拿大知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司W(wǎng)iLAN獲得大量來源于英飛凌的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）技術(shù)專利的實(shí)施許可。由于涉及商業(yè)秘密條款，雙方并沒有披露交易金額。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明表示：“兩份協(xié)議標(biāo)志著，在完善知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合、進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)方面，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采取了新舉措。”

觀察者網(wǎng)注意到，目前市場(chǎng)上主要有兩種存儲(chǔ)器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），另一種是NAND Flash（閃存）。中國(guó)目前在這兩個(gè)領(lǐng)域基本都依靠進(jìn)口。

不過讓人欣慰的是，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目已正式投產(chǎn)，首批芯片今年底將會(huì)交付客戶 。除此之外，紫光集團(tuán)今年也開始加碼DRAM領(lǐng)域，并已在重慶布局DRAM存儲(chǔ)芯片工廠。

但是，中國(guó)企業(yè)在DRAM領(lǐng)域仍然任重道遠(yuǎn)。目前在該領(lǐng)域，三星、SK海力士、美光的全球市場(chǎng)份額合計(jì)接近95%，更關(guān)鍵的是，這三家企業(yè)同時(shí)掌控著諸多DRAM技術(shù)專利。

對(duì)此，財(cái)新網(wǎng)6日援引一名半導(dǎo)體行業(yè)資深人士的話報(bào)道稱：此次長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)拿到更多的技術(shù)授權(quán)和專利有防御作用。當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手發(fā)起專利戰(zhàn)，一些基礎(chǔ)的專利可以用來“打仗”。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)未來廠房效果圖 圖自公司官網(wǎng)

首批DRAM芯片年底交付

據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方微信5日介紹，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited已達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。這些專利由德國(guó)制造商奇夢(mèng)達(dá)開發(fā)，Polaris從其母公司英飛凌購(gòu)得。

依據(jù)雙方達(dá)成的獨(dú)立專利采購(gòu)協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris購(gòu)得相當(dāng)數(shù)量的DRAM專利，此專利許可和專利采購(gòu)協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款未予披露。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明表示：“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的積累。兩份協(xié)議標(biāo)志著，在完善知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合、進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)方面，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采取了新舉措。”

而WiLAN總裁兼首席執(zhí)行官M(fèi)ichael Vladescu坦言：“這兩份協(xié)議表明，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)高度重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)，致力于持續(xù)投入研發(fā)。我們相信，由此獲得的權(quán)益將使長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在業(yè)內(nèi)擁有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，助力長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)持續(xù)開發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)。”

DRAM即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是最常見的系統(tǒng)內(nèi)存，被喻為連接中央處理器的“數(shù)據(jù)高速公路”，廣泛用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等領(lǐng)域。目前，中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商已開始在該領(lǐng)域不斷加大投入并已有所進(jìn)展。

2016年，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)項(xiàng)目啟動(dòng)。今年9月20日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)宣布：總投資約1500億元的內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)。其與國(guó)際主流DRAM同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4也首度亮相，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能達(dá)每月12萬片晶圓，首批芯片今年底將會(huì)交付客戶 。

新華社當(dāng)時(shí)援引業(yè)內(nèi)專家介紹稱，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目投產(chǎn)標(biāo)志我國(guó)在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主生產(chǎn)能力。

除此之外，紫光集團(tuán)今年也開始加碼DRAM領(lǐng)域。6月30日，紫光集團(tuán)宣布成立DRAM事業(yè)群，集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京任董事長(zhǎng)、全球執(zhí)行副總裁高啟全任CEO。該集團(tuán)還計(jì)劃于年底在重慶開工建設(shè)DRAM工廠，主要制造12英寸的DRAM存儲(chǔ)芯片。