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三星和臺積電爭奪戰(zhàn)，5nm時代即將來臨？

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2019-04-22 14:07:37 字號：A- A A+ 來源：觀察者網(wǎng)綜合

關(guān)鍵字: 三星臺積電

（觀察者網(wǎng)訊）據(jù)工商時報報道，隨著人工智能（AI）、高效能運算（HPC）、5G心空中界面（5G NR）等三大應(yīng)用下半年進入成長爆發(fā)期，對7納米及5納米等先進邏輯進程需求轉(zhuǎn)強。目前芯片制造爭奪戰(zhàn)正圍繞三星和臺積電的5納米和6納米工藝之間展開。

去年下半年，臺積電就已經(jīng)量產(chǎn)7納米制程，今年上半年支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7+納米也進入了量產(chǎn)。三星的7納米制程也同樣于去年下半年完成支援EUV微影技術(shù)的產(chǎn)能建設(shè)，并在今年上半年開始替用戶投片。

盡管在7納米制程上三星稍落后于臺積電，但在5納米方面三星卻迎頭趕上。今年4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)文稱已經(jīng)完成了5納米 FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)，現(xiàn)已準備好為用戶提供樣品。與7納米相比，5納米將提高25%晶片邏輯區(qū)域效率，降低20％功耗，并提高10％性能。

4月3日，臺積電宣布，率先完其5納米的架構(gòu)設(shè)計，最快年內(nèi)就會有第一顆5納米晶片完成設(shè)計定案，預(yù)計明年底前進入量產(chǎn)。

臺積電表示，相較7納米制程，5納米的微縮功能在Arm的Cortex-A72核心上能夠提供1.8倍的邏輯密度，性能可提升15%。此外，5nm制程將會完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，可帶來EUV技術(shù)提供的制程簡化效益。

臺積電的7納米制程與三星之間的技術(shù)差距在1年以內(nèi)，從5納米進程看來差距將縮小，可見在明年兩方之間的競爭將更為激烈。

4月16日，臺積電宣布正式推出了6納米制程技術(shù)，該項技術(shù)預(yù)計于2020年底前進入量產(chǎn)。而三星目前正在與6nm的客戶合作，“三星基于EUV的高級節(jié)點預(yù)計將對5G，人工智能（AI），高性能計算（HPC）和汽車等新型創(chuàng)新應(yīng)用產(chǎn)生高需求。 “三星代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Charlie Bae表示。

據(jù)SE網(wǎng)站消息，在這場5納米制程爭奪大戰(zhàn)中，Intel公司目前處于落后狀態(tài)，直到4月3日其10nm制程產(chǎn)品Agilex FPGA才正式發(fā)布（相當于代工廠的7nm水平）。

盡管兩家競爭進行到白熱化階段，但據(jù)韓國科技媒體《ddaily》報道，業(yè)界認為，隨著制程越來越精細，未來可能會遇到拓展客戶、量產(chǎn)困難等問題。此前業(yè)界相關(guān)人士也分析稱，若持續(xù)以數(shù)字為中心持續(xù)打宣傳戰(zhàn)，兩企業(yè)只會越來越艱辛。
標簽芯片三星臺積電
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- 責任編輯:李嘉
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