【文/遠川科技評論 葉子凌】

今年7月底，日本限制23種半導體制造設備出口的新規(guī)正式生效，限制類型為10-14納米以下的先進制程設備。按照規(guī)定，向白名單之外的“其他國家”出口時要將設備規(guī)格、用途一一匯報，這里的“其他國家”指的是誰，不言而喻。

全球半導體設備市場長期被美國、日本和歐洲企業(yè)瓜分。2020年以前，中國80%以上的設備都從這些地區(qū)進口。以光刻領域為例，輔助光刻過程的涂膠顯影設備，90%以上幾乎都來自日本的東京電子[1]。核心的光刻機被荷蘭的阿斯麥（ASML）壟斷，剩下不到10%市場份額的成熟制程光刻機領域，被尼康和佳能瓜分。

從去年底開始，日本也開始推進與美國相似的政策。雖然新規(guī)才生效不久，但中國芯片公司對日本禁出口的擔憂和忌憚，已經(jīng)持續(xù)了兩年多。加上荷蘭也下達了相關出口禁令，國內(nèi)先進制程的突破幾乎被堵死。

半導體產(chǎn)業(yè)四面圍城，寸步難行。原本守候在產(chǎn)線外圍的的中國設備商，卻迎來了一絲曙光。

夜行：從0到1的蟄伏

雖然光刻機在輿論場話題性最強，但半導體設備并不止光刻機一種——它甚至不是產(chǎn)業(yè)鏈中市場最大的一環(huán)。

有兩個市場規(guī)模比光刻機市場還大的領域，分別是刻蝕和薄膜，二者與光刻機合稱為半導體制造環(huán)節(jié)的“三大主設備”，占據(jù)整個市場70%的份額。

簡單來說，刻蝕指將光刻標記出來的區(qū)域，通過物理或化學方法去除，以完成功能外形的制造，薄膜則是在現(xiàn)有材料表面上均勻形成氧化膜，以形成功能層。由于光刻技術受波長限制，單憑光刻機很難滿足5nm，3nm，及更先進的制程工藝，只能通過反復的刻蝕來實現(xiàn)更小的尺寸。因此現(xiàn)階段先進制程工藝的提升，相當程度上源于刻蝕步驟的疊加。這也是近兩年刻蝕和薄膜在設備行業(yè)的市場份額逐漸超越光刻機的原因之一。

全球刻蝕市場長期由美國泛林、應用材料和日本東京電子分而治之，合計占據(jù)九成市場[1]。

直到2020年，中國的中微公司和北方華創(chuàng)，在刻蝕設備市場總共才拿下了2%出頭的份額。2020年，中微公司的5納米刻蝕設備已進入臺積電先進制程產(chǎn)線，雖然訂單和收入無法與美日企業(yè)相比，但這已經(jīng)是明爭暗斗了十多年的成果。2004年，60歲的應用材料退休高管尹志堯受邀回國，創(chuàng)立中微公司，專研刻蝕設備。由于在應用材料的工作經(jīng)歷，中微公司從創(chuàng)立起，一舉一動都被美國全方位監(jiān)控。三年后，中微公司第一臺刻蝕設備研發(fā)完成，應用材料就以竊密為由，將中微公司告上美國法庭；泛林也在2009年控告中微公司專利侵權。這兩件官司前后糾纏多年，最終都以中微公司曬出所有文件，自證清白告終。

但美國公司的圍追堵截，反而不是中微公司面臨的最棘手的問題。

尹志堯曾在接受采訪時，概括過當時的困境[2]：“用了美國的設備20年，突然中國的一個新公司說‘你用我的新設備’，一般來說人家是不愿意試用的?！卑雽w設備的特點是市場準入門檻高，從設備研發(fā)到投產(chǎn)整個流程，需要設備公司與下游客戶密切配合。

首先，半導體設備需要在產(chǎn)線上反復調(diào)教，上下游不斷循環(huán)反饋，共同迭代，因此許多晶圓廠和設備廠商從研發(fā)時就相互綁定，不輕易更換設備。其次，半導體行業(yè)作為技術密集的高利潤的產(chǎn)業(yè)，更換設備所需要面對的磨合成本、良率下降的風險以及訂單丟失的風險遠大于后進廠商可能帶來的“節(jié)約成本”等優(yōu)點。因此設備進入產(chǎn)線后，下游客戶不會為了單純的成本輕易更換供應商。這種“市場驗證”基礎上衍生出的無形的信任壁壘，才是國產(chǎn)設備商真正難以逾越的高山。當時國產(chǎn)設備本身技術水平有差距，加上難以參與市場驗證，導致產(chǎn)品做出來了，卻少有下游愿意給訂單，陷入惡性循環(huán)。

換句話說，連牌桌都上不去，就別談贏錢了。

而改變這一點的，恰恰是海外的制裁。