（文/觀察者網(wǎng) 陳興華）

5月15日，在GSA Memory+高峰論壇上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官湯強(qiáng)表示，為了應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)量增長(zhǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的挑戰(zhàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術(shù)。他還表示，利用Xtacking技術(shù)，NAND的I/O速度有望達(dá)到行業(yè)顛覆性的3.0Gbps。

湯強(qiáng)首先提到，當(dāng)前正處于一個(gè)數(shù)據(jù)大爆炸的時(shí)代，預(yù)計(jì)到2022年，NAND的容量需求將會(huì)接近2015年的10倍，并將持續(xù)增長(zhǎng)下去。但是實(shí)際上，數(shù)據(jù)和存儲(chǔ)能力的增長(zhǎng)嚴(yán)重不對(duì)等，存儲(chǔ)容量的增長(zhǎng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于需求的增長(zhǎng)。

但是，他同時(shí)表示，目前為了追求更高的存儲(chǔ)容量，存儲(chǔ)技術(shù)正從MLC向TLC向QLC等發(fā)展。另外，對(duì)于各種應(yīng)用場(chǎng)景的需求，實(shí)際上是需要越來(lái)越多的定制化的存儲(chǔ)方案來(lái)與之對(duì)應(yīng)。而一項(xiàng)新的存儲(chǔ)解決方案的開(kāi)發(fā)往往需要12-18個(gè)月的周期。

湯強(qiáng)將上述問(wèn)題總結(jié)為行業(yè)正面臨三大挑戰(zhàn)，包括I/O接口速度、容量密度和上市周期。對(duì)此，他強(qiáng)調(diào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年推出了Xtacking技術(shù)，該技術(shù)不僅提高了I/O接口速度，而且還保證了3D NAND多層堆疊可達(dá)到更高容量，以及減少上市周期。

據(jù)介紹，采用Xtacking技術(shù)，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路，使得NAND獲取更高的I/O接口速度及更強(qiáng)的操作功能。存儲(chǔ)單元將在另一片晶圓上獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，XtackingTM技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可將二者鍵合接通電路，且成本增加有限。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)日前公布的數(shù)據(jù)顯示，在傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20-30%，這也使得芯片的存儲(chǔ)密度大幅降低。而隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上。Xtacking技術(shù)則可將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。

據(jù)了解，目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)只小批量生產(chǎn)32層堆疊閃存。不過(guò)，將于今年底量產(chǎn)的64層X(jué)tacking 3D NAND是長(zhǎng)江存儲(chǔ)今明兩年生產(chǎn)的主力。集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)到年底至少為60K/m的投片量，而其競(jìng)爭(zhēng)者達(dá)到200K/m以上。

為了盡快縮短與國(guó)外廠商的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)采取了“跨躍式”發(fā)展。在下一代閃存技術(shù)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直接跳過(guò)三星、美光、東芝、Intel等公司現(xiàn)在力推的96層堆疊閃存，直接進(jìn)入128層堆疊的研發(fā)，這幾家公司預(yù)計(jì)在2020年才會(huì)推出128層堆疊的閃存。

據(jù)悉，在I/O速度方面，目前NAND閃存主要有兩種I/O接口標(biāo)準(zhǔn)，分別是Intel/索尼/SK海力士/群聯(lián)/西數(shù)/美光主推的ONFi，目前ONFi 4.1標(biāo)準(zhǔn)的I/O接口速度最大為1.2Gbps。第二種標(biāo)準(zhǔn)是三星/東芝主推的ToggleDDR，I/O速度最高1.4Gbps。

對(duì)此，湯強(qiáng)在本次論壇上表示，目前世界上最快的3DNAND的I/O速度目標(biāo)值是1.4Gbps，大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)，有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對(duì)NAND行業(yè)來(lái)講將是顛覆性的。

另外，他還提到，Xtacking技術(shù)還可使得產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的從開(kāi)發(fā)到上市周期。與此同時(shí)，Xtacking依然處于不斷進(jìn)化之中。

目前，Xtacking技術(shù)已經(jīng)成功應(yīng)用于即將量產(chǎn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第二代3D NAND產(chǎn)品（64層堆疊）。湯強(qiáng)還表示，今年8月推出新一代的Xtacking 2.0技術(shù)有望將長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND提升到一個(gè)新的高度。Xtacking將是存儲(chǔ)的未來(lái)。