來源：內(nèi)容來自「綜合自經(jīng)濟(jì)日報等」，謝謝。

據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，鴻海集團(tuán)對下世代存儲很有興趣，并已與SK集團(tuán)長期策略合作。旗下半導(dǎo)體次集團(tuán)總經(jīng)理暨夏普董事劉揚(yáng)偉證實(shí)，在于海力士合作之前，鴻海集團(tuán)與臺灣的存儲大廠旺宏也接觸過考量技術(shù)演進(jìn)。

在鴻海方面看來，存儲持續(xù)往3D堆疊發(fā)展并有新技術(shù)崛起，可能會進(jìn)入到下世代特殊型存儲，如類似MRAM（磁電阻式隨機(jī)存取存儲）、ReRAM（可變電阻式存儲）等應(yīng)用。

鴻海集團(tuán)1994年就開始低調(diào)發(fā)展半導(dǎo)體領(lǐng)域，近一年對外以「S次集團(tuán)」浮上臺面，并納入集團(tuán)整體陸續(xù)發(fā)展的晶圓設(shè)備、封測、IC設(shè)計(jì)與服務(wù)等領(lǐng)域。另一方面，鴻海集團(tuán)也積極在大陸尋找半導(dǎo)體領(lǐng)域投資標(biāo)的，據(jù)了解，鴻海集團(tuán)半導(dǎo)體擴(kuò)張布局傾向透過投資與收購，相關(guān)計(jì)畫都是「現(xiàn)在進(jìn)行式」，善用大陸資源，促成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一條龍布局，與集團(tuán)發(fā)揮互補(bǔ)作用。

鴻海進(jìn)軍存儲之心由來已久

去年，在東芝宣布將出售存儲業(yè)務(wù)的時候，計(jì)劃改變代工局面，涉足上游的鴻海集團(tuán)就表現(xiàn)出了對這塊業(yè)務(wù)的信心。

鴻海集團(tuán)掌門人郭臺銘聯(lián)合戴爾、金士頓科技、蘋果等企業(yè)已想對東芝存儲發(fā)起收購。在郭看來，因?yàn)樗鼈兊漠a(chǎn)品在使用東芝的半導(dǎo)體，可以支撐起經(jīng)營。他同時透露，亞馬遜已接近加入，鴻海與谷歌、微軟和思科的談判仍在進(jìn)行中。

郭臺銘同時透露，希望鴻海與夏普的出資比率控制在40%以下，東芝的出資比率至少維持在15%。他還表示，為了追趕全球排名第一的韓國三星電子，其領(lǐng)頭的財團(tuán)將大力進(jìn)行研發(fā)投資。

鴻海一直是東芝芯片業(yè)務(wù)的堅(jiān)定競購者。此前曾有消息稱，鴻海向東芝芯片開出了3萬億日元（約合270億美元）的報價，在競購者的出價中排名第一。

但鴻海在這樁競購中卻被日本方面的不認(rèn)可。

按照郭臺銘的說法，他之所以想入局存儲，是為了應(yīng)對因人工智能等領(lǐng)域不斷發(fā)展而出現(xiàn)增長的數(shù)據(jù)中心需求。他強(qiáng)調(diào)，未來大數(shù)據(jù)、海量資料與8K影像都會用到更多儲存裝置。富士康是全球最大的服務(wù)器制造廠，未來將需要更多更大量的儲存設(shè)備，以滿足市場需求。而東芝掌握的最新型存儲媒體“固態(tài)硬盤（SSD）”也被郭臺銘特別強(qiáng)調(diào)。他認(rèn)為，固態(tài)硬盤具有出色的節(jié)能性，掌握著未來產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵。

但最后鴻海出局，東芝存儲售給以美國投資公司貝恩（Bain Capital）為主的「美日韓聯(lián)盟」，這是后話。

下世代存儲技術(shù)看誰？

現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，存儲扮演不可或缺的重要的角色。2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)估首次超過4,000億美元，其中原因之一是存儲需求大增，廠商能提高售價，2017年?duì)I收成長約五成，南韓三星是最大的存儲供應(yīng)商，獲利最大。這波存儲熱潮預(yù)計(jì)被新興的需求繼續(xù)推動，物聯(lián)網(wǎng)、穿戴式裝置、云端儲存和巨量資料運(yùn)算等都將成帶動存儲市場的動能。

目前存儲依儲存特性，以斷電后資料是否消失可分為揮發(fā)性和非揮發(fā)性存儲，揮發(fā)性存儲斷電后資料不能留存，成本較高但是速度快，通常用于資料暫存；非揮發(fā)性存儲存取速度較慢，但可長久保存資料。

由于主流存儲DRAM與NAND在微縮制程上已出現(xiàn)瓶頸與影響，因此找出替代性的解決方案或改變電路等，以因應(yīng)未來資料儲存需求，將是目前存儲產(chǎn)業(yè)最重要的議題。

開發(fā)下世代存儲的三大衡量標(biāo)準(zhǔn)包括成本、元件效能、可微縮性與密度等，其中成本需考量存儲顆粒、模組與控制電路等總體；元件效能則包含延遲時間、可靠度、資料保存耐久度等。

下世代的存儲，目前普遍朝向改變過去儲存電荷來存取資料的方式，藉由改變儲存狀態(tài)機(jī)制解決制程上的限制，另外，低功耗為下世代存儲甚至元件的共通目標(biāo)。

同時兼具運(yùn)算、儲存能力的下世代存儲，如磁阻式存儲(MRAM)、電阻式存儲(RRAM)、3D XPoint技術(shù)與高潛力的自旋電子磁性存儲(STT-MRAM)等，就成為下世代存儲技術(shù)的新寵兒。

MRAM的技術(shù)在學(xué)理上存取速度將超越DRAM達(dá)到接近SRAM，且斷電后資料不流失，早期由Everspin公司開發(fā)，被視為下世代存儲技術(shù)的重要的競爭者。2017年是MRAM技術(shù)爆發(fā)的一年，當(dāng)年在日本舉辦的大型積體電路技術(shù)日本舉辦的大型積體電路技術(shù)、系統(tǒng)和應(yīng)用國際研討會，格羅方德與Everspin公司共同發(fā)布有抗熱消磁eMRAN技術(shù)，具能夠讓資料在攝氏150度下保存資料，可長達(dá)十?dāng)?shù)年的22納米制程的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2017年底、2018年投產(chǎn)。

而曾經(jīng)投入存儲研發(fā)生產(chǎn)，但卻不敵成本高昂而退出存儲市場的臺積電，在2017年臺積電技術(shù)論壇中，揭露已具備22納米制程嵌入式磁阻式存儲(eMRAM)的生產(chǎn)技術(shù)，預(yù)定2018年試產(chǎn)。

RRAM其優(yōu)點(diǎn)是消耗電力較NAND低，且寫入資訊速度比NAND快閃存儲快1萬倍，主要投入研究的廠商有美光、Sony、三星。

臺積電也已宣布具備生產(chǎn)22納米eRRAM技術(shù)。3D XPoint技術(shù)的主要廠商為英特爾與美光，采用多層線路構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)，并采用柵狀電線電阻來表示0和1，原理類似RRAM。

為儲存裝置的良好的替代品，具有比NAND快閃存儲快了近1,000倍，也可用于運(yùn)算速度要求低的計(jì)算應(yīng)用。

STT-MRAM是運(yùn)用量子力學(xué)的電子自旋角動量的技術(shù)應(yīng)用，具有DRAM和SRAM的高性能且低功耗，并相容現(xiàn)有的CMOS制造技術(shù)與制程。

目前主要投入廠商有IBM與三星、SK海力士和東芝，其中IBM和三星在IEEE發(fā)布研究論文表示，已成功實(shí)現(xiàn)10奈秒的傳輸速度和超省電架構(gòu)。

盡管下世代存儲未來有望取代部分DRAM與NAND快閃存儲的市場，甚至取代舊有技術(shù)。但是筆者認(rèn)為，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)裝置與更多的資料收集與感測需求，下世代的存儲技術(shù)首先將著眼于以新應(yīng)用的需求為主，如臺積電鎖定的嵌入式存儲，并充分發(fā)揮運(yùn)算與儲存二合一的優(yōu)勢，進(jìn)一步微縮大小，達(dá)到元件更高的市場滲透率。

但是若從廠商動態(tài)來看，22納米的eMRAM技術(shù)將于2018年年后逐漸成熟，并開始有大量的市場應(yīng)用。