據(jù)CINNO Research 對第二季度存儲產(chǎn)業(yè)研究報告顯示，在NOR Flash領(lǐng)域長久以來位居第五位的兆易創(chuàng)新，超越美光在史上首度站上第四名的位置，創(chuàng)下中國存儲產(chǎn)業(yè)的新里程碑。

這是同屬于兆易創(chuàng)新和國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)的高光時刻。

NOR Flash營收勁升45%

畢竟，兆易創(chuàng)新是從存儲即NOR Flash開始“起家”的，存儲既是其成長壯大的基石，也是未來布局的倚重。

根據(jù)CINNO Research的數(shù)據(jù)，在第二季度中兆易創(chuàng)新NOR Flash業(yè)績攀升，環(huán)比勁升45%營收增至7700萬美元。CINNO Research分析說，這一增速是所有廠商中最高的。

這一切既是大勢使然，亦是其布局多年之后技術(shù)與產(chǎn)品不斷精進的印證。

從市場需求來看，兆易創(chuàng)新代理總經(jīng)理何衛(wèi)分析，可穿戴產(chǎn)品尤其是以TWS耳機為代表的產(chǎn)品在今年爆發(fā)式增長，成為NOR Flash市場增量的主要驅(qū)動力之一。此外，隨著更多的手機中開始配置串行NOR Flash，尤其是智能手機的AMOLED顯示器，手機應(yīng)用市場亦快速發(fā)展。同時，loT、工控應(yīng)用等新興領(lǐng)域也為NOR Flash帶來了新的增長點。

在產(chǎn)品層面，兆易創(chuàng)新經(jīng)過多年鏖戰(zhàn)，在閃存領(lǐng)域已 “多點開花”，可提供從512Kb至512Mb全部容量的NOR Flash以及1Gb至8Gb容量的NAND Flash，電壓涵蓋1.8V、2.5V、3.3V以及寬電壓產(chǎn)品，并以高性能、低功耗、高可靠性、高安全性不斷“武裝”，從而具備顯著的“彈藥”優(yōu)勢。

針對不同的市場需求，兆易創(chuàng)新“有的放矢”：對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、消費類推出業(yè)界最小封裝1.5mm x 1.5mm USON8 低功耗寬電壓產(chǎn)品線；針對高性能應(yīng)用領(lǐng)域推出了國內(nèi)首顆符合 JEDEC 規(guī)范的8通道SPI產(chǎn)品；針對工控、汽車電子等高可靠性及高性能領(lǐng)域推出256Mb、512Mb 等產(chǎn)品；依據(jù) AEC-Q100 標準認證了 GD25 全系列產(chǎn)品，是目前唯一的全國產(chǎn)化車規(guī)閃存產(chǎn)品。步步為營的戰(zhàn)略布局，也讓兆易創(chuàng)新接連告捷，在今年第二季度創(chuàng)造了國內(nèi)存儲器新的“榮光”。

至此兆易創(chuàng)新NOR Flash累計出貨量已經(jīng)超過100 億顆，這是歷史性的高點，亦是全新的起點。

在NOR Flash市場上的成功“晉升”為兆易創(chuàng)新未來的發(fā)展注入了全新的動能，隨著電子產(chǎn)品功能的提升，系統(tǒng)代碼存儲對更高容量的閃存需求上漲，兆易創(chuàng)新也在積極開拓SLC NAND市場，從而為客戶提供更加完善的存儲方案。

據(jù)何衛(wèi)介紹，SLC NAND的主流工藝結(jié)點在 50nm-19nm，兆易創(chuàng)新高可靠性的 38nm SLC 制程產(chǎn)品已穩(wěn)定量產(chǎn)，NAND容量從1Gb至8Gb 覆蓋主流容量類型，電壓涵蓋1.8V和3.3V，可提供傳統(tǒng)并行接口和新型 SPI 接口兩個產(chǎn)品系列，已具備業(yè)界領(lǐng)先的高性能、高可靠性。

未來“線面全開”

如今的存儲業(yè)已然到了“變革”的前夜。中美科技大戰(zhàn)將成持久戰(zhàn)，國內(nèi)長江存儲、合肥長鑫等在集結(jié)發(fā)力，長江存儲更是已重磅宣布量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb 3D NAND。而合肥長鑫作為國家戰(zhàn)略型存儲器公司之一，DRAM項目量產(chǎn)在即，這對于IC國產(chǎn)化而言將會是重大的機遇，而兆易創(chuàng)新不僅通過合肥長鑫切入到DRAM存儲領(lǐng)域，同時也在積極布局DRAM相關(guān)產(chǎn)品，與合肥長鑫形成良好的協(xié)同和互補。

今年4 月26 日，兆易創(chuàng)新就與合肥產(chǎn)投、合肥長鑫集成電路有限責任公司簽署《可轉(zhuǎn)股債權(quán)投資協(xié)議》，約定以可轉(zhuǎn)股債權(quán)方式投資 3 億元，并繼續(xù)研究商討后續(xù)出資方案。

可以說，兆易創(chuàng)新憑借多年在消費類、工業(yè)以及汽車電子積累的深厚技術(shù)和市場渠道，在存儲領(lǐng)域已然完成了從NOR Flash、NAND Flash和DARM的“線面”整合，走向全面出擊。

而市場也在承接新一輪利好。展望第三季與下半年的存儲產(chǎn)業(yè)趨勢，CINNO Research半導體首席分析師楊文得認為，DRAM、NAND Flash與NOR Flash將比上半年表現(xiàn)更為穩(wěn)健。因此第三季度與下半年的存儲器無論是在價格以及位出貨量的表現(xiàn)上都將比上半年更為穩(wěn)健，存儲器廠商的運營壓力也可望獲得紓解。

而兆易創(chuàng)新已胸有丘壑。何衛(wèi)介紹，在NOR Flash領(lǐng)域正在進行55nm開發(fā)，進展順利，預期將在今年第四季度進行量產(chǎn)。同時，兆易創(chuàng)新將以此為基礎(chǔ)，密切關(guān)注市場熱點應(yīng)用的迅速發(fā)展，定義更加符合客戶需求的新一代產(chǎn)品。

在存儲器業(yè)的“躍變”也為兆易創(chuàng)新創(chuàng)造了新的支點。而在確定了存儲、MCU和傳感器“三駕馬車”的布局之后，兆易創(chuàng)新的“馬力”在不斷提升。繼8月22日率先將開源指令集架構(gòu)RISC-V引入通用MCU領(lǐng)域推出全球首個基于RISC-V內(nèi)核的GD32V系列之后，8月27日發(fā)布的2019 年半年度財報顯示其營收12 億元，同期增長 8.63%。而如今兆易創(chuàng)新在存儲器業(yè)再上層樓，躍居全球第四，兆易創(chuàng)新的厚積薄發(fā)值得期待。