他舉例稱，三星正在做的3納米芯片，和英特爾要做的3納米芯片是不一樣的，它們有著各自的定義。但過(guò)去摩爾定律還有效、業(yè)內(nèi)存在共識(shí)時(shí)，大家都知道3年后或6年后的技術(shù)節(jié)點(diǎn)會(huì)是什么。

“突然有一天，這個(gè)叫摩爾定律的賽道突然沒(méi)了。既然技術(shù)路徑依賴沒(méi)有了，那我們來(lái)走另外一種新的發(fā)展模式——應(yīng)用驅(qū)動(dòng)。我們中國(guó)的市場(chǎng)和消費(fèi)者會(huì)在應(yīng)用上有許多創(chuàng)新，我們中國(guó)的機(jī)會(huì)恰恰在這里頭”，陳南翔說(shuō)。

中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展正面臨全國(guó)人民的期待。陳南翔也坦言，對(duì)業(yè)界的關(guān)心增加了半導(dǎo)體行業(yè)的曝光度，增加了行業(yè)對(duì)人才的吸引力，同時(shí)一些極個(gè)別網(wǎng)民言論也給行業(yè)產(chǎn)生了很大的壓力。

他希望，公眾能夠理性、耐心地看待國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，“我們希望，這個(gè)產(chǎn)業(yè)不是跑100米短跑，而是像一個(gè)馬拉松，走長(zhǎng)期主義才能把這個(gè)產(chǎn)業(yè)真正做好。（希望大家）給予一定時(shí)間，讓產(chǎn)業(yè)認(rèn)認(rèn)真真地把自己的基礎(chǔ)做好，把自己的實(shí)力構(gòu)造出來(lái)，這才是真正中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需要的。”

《南華早報(bào)》指出，美國(guó)對(duì)中國(guó)頂尖科技公司和半導(dǎo)體代工廠的一系列無(wú)理制裁，正促使中國(guó)業(yè)界人士建立更緊密的聯(lián)系，在政府支持下，團(tuán)結(jié)一致尋求前進(jìn)的道路。在去年10月當(dāng)選為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)后，陳南翔呼吁業(yè)界同舟共濟(jì)，攜手應(yīng)對(duì)來(lái)自美國(guó)的科技制裁。

同年，在上海舉行的SEMICON China 2023大會(huì)上，陳南翔當(dāng)時(shí)以長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)的身份發(fā)表演講稱，一些國(guó)家出于地緣政治考量，已經(jīng)破壞了芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全球化體系，現(xiàn)在行業(yè)面臨巨大的不確定性，“再全球化”正在發(fā)生。

他直言，芯片產(chǎn)業(yè)鏈將進(jìn)入“動(dòng)蕩且無(wú)序”的時(shí)刻。不僅沖擊現(xiàn)有的全球供應(yīng)鏈產(chǎn)業(yè)分工，甚至給產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式帶來(lái)重大影響。

陳南翔當(dāng)時(shí)還提議，如果中國(guó)企業(yè)依法合規(guī)買到的設(shè)備不能交貨或者無(wú)法使用，廠家應(yīng)該設(shè)定一個(gè)時(shí)間回購(gòu)設(shè)備，“我想做個(gè)呼吁，去建設(shè)你們的誠(chéng)信，體現(xiàn)于你們的公平原則。就長(zhǎng)江存儲(chǔ)來(lái)講，依法合規(guī)買回來(lái)的設(shè)備連零件也拿不到。如果是公平的話，應(yīng)該會(huì)設(shè)一個(gè)時(shí)間，把設(shè)備在新的條件下回購(gòu)，這樣才公平。”

值得一提的是，近日有美媒爆料稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度在美國(guó)加州北區(qū)對(duì)美光提起訴訟，指控這家美國(guó)公司侵犯了其11項(xiàng)專利，涉及3D NAND的各個(gè)方面。長(zhǎng)江存儲(chǔ)請(qǐng)求法院下令，要求美光停止在美國(guó)銷售其閃存，并向其支付專利使用費(fèi)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND存儲(chǔ)器以及美光的部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列）侵犯了其在美國(guó)提交的11項(xiàng)專利或?qū)＠暾?qǐng)，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的基本方面。

2022年底，美國(guó)商務(wù)部根據(jù)所謂的“證據(jù)”，以威脅其國(guó)家安全為由，將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入了實(shí)體清單，使其不能從美國(guó)獲得128層及以上的3D NAND的晶圓制造設(shè)備和技術(shù)。

這次起訴，并非長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)的第一次“反擊”。2023年11月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)加州北區(qū)地方法院，對(duì)美光及子公司美光消費(fèi)類產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟，指控美光侵犯8項(xiàng)與3D NAND Flash相關(guān)的美國(guó)專利。

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