（觀察者網(wǎng)訊）

18日消息，臺灣《經(jīng)濟日報》近日報道，紫光集團DRAM 事業(yè)群CEO高啟全日前返臺過中秋節(jié)時接受采訪表示，紫光集團決定自主研發(fā)DRAM，且大基金和重慶產(chǎn)業(yè)基金都會投資，初期研發(fā)中心將設在武漢，待研發(fā)有了成果才會在重慶設廠生產(chǎn)。

高啟全強調，人才是最大的挑戰(zhàn)。他坦承正建立研發(fā)團隊，希望五到十年能看到研發(fā)成果。但他不愿透露太多細節(jié)，包括新公司何時成立、研發(fā)陣容和投資金額等。不過近期他積極奔走日本、韓國和臺灣地區(qū)等地，似乎在招攬人才。

高啟全表示，紫光集團未來投入DRAM領域，也會走先前開發(fā)儲存型閃存（NAND Flash）自主研發(fā)模式，只是投入DRAM領域，目前相關制程專利都掌控在三星、SK海力士和美光等三大廠手中，紫光集團要技術自主，需要投入更多的人力和時間。

他表示，目前韓國和美國都不愿將技術授權給中國大陸廠商，而且貿(mào)易摩擦還在繼續(xù)，美光也不會和紫光結盟，因此中國要規(guī)避三大廠的專利，不是短時間可以達成的，得靠匯集更多優(yōu)秀人才，希望五到十年能看到成果。

賽迪智庫《2018年全球集成電路產(chǎn)品貿(mào)易研究報告》發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2018年中國大陸進口集成電路金額高達3120.6億美元，已遠超石油進口額，成為中國進口金額最大的商品，其中存儲器占集成電路進口金額的39%，達到1230.6億美元。

雖然存儲器是中國集成電路產(chǎn)業(yè)的短板，但也是國家大力推進的重點領域。

據(jù)觀察者網(wǎng)此前報道，今年8月27日，重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議。紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金，建設包括DRAM總部研發(fā)中心在內的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。其中，DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產(chǎn)。

此外，據(jù)《經(jīng)濟日報》報道，有消息人士透露，在政府支持下，紫光集團積極發(fā)力DRAM自主生產(chǎn)，內部已計劃未來十年投資高達人民幣8000億元，全力推動并積極沖刺DRAM量產(chǎn)。

南亞科和集邦科技等業(yè)界和機構則分析稱，紫光集團雖早有旗下 IC 設計公司紫光國微具有 DRAM 相關產(chǎn)品的研發(fā)實力，但制程開發(fā)上仍未有合作對象，如果自主開發(fā)，至少需要三到五年時間。