在芯片制造領(lǐng)域，臺積電和三星的先進(jìn)制程競爭無疑吸引了最多的目光，人們也期待中國企業(yè)能夠早日迎頭趕上。但是對于中國晶圓代工產(chǎn)業(yè)來說，眼下更重要的一場競爭或許是在成熟制程（28nm及以上）領(lǐng)域。

      光刻膠是探討這個問題的一個典型切口。截至目前，國產(chǎn)光刻膠產(chǎn)業(yè)仍然極其薄弱，即使在I線（365nm）水平上市占率也僅為10%左右，在DUV（28nm及以上）領(lǐng)域僅處于滲透初期，EUV（28nm以下）光刻膠幾乎一片空白。這是因為，光刻膠是一個定制化程度極高的產(chǎn)品，若沒有下游企業(yè)的大訂單需求，就完全沒有規(guī)模效應(yīng)，導(dǎo)致新玩家難以進(jìn)入。因此，除了材料企業(yè)自身投入研發(fā)之外，中國未來幾年成熟制程晶圓代工的擴(kuò)張速度，或許才是決定國產(chǎn)光刻膠進(jìn)度的關(guān)鍵因素。

      其實韓國人也已經(jīng)看到了成熟制程的巨大價值。不久前，韓國學(xué)界提議組建主攻成熟制程的“韓積電”，因為成熟制程對上下游中小企業(yè)的帶動作用更加明顯。在三星逐漸在先進(jìn)制程上掉隊之后，中韓成熟制程未來勢必展開更激烈的競爭。

2024年12月26日，廈門恒坤新材的IPO申請獲得上交所受理，將科創(chuàng)板上市，這是一家專注于光刻材料和前驅(qū)體材料等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè)，其中光刻膠占到了其總營收的超過八成。招股說明書申報稿顯示，恒坤新材計劃通過此次發(fā)行募集約12億元人民幣的資金，主要用于推進(jìn)集成電路前驅(qū)體二期項目、SiARC開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目以及集成電路用先進(jìn)材料項目的建設(shè)和發(fā)展。

在當(dāng)前全球半導(dǎo)體行業(yè)競爭加劇以及國內(nèi)IPO審核趨于嚴(yán)格的背景下，恒坤新材的上市申請顯得尤為引人注目。隨著中美科技競爭加劇以及全球供應(yīng)鏈不確定性增加，確保半導(dǎo)體制造所需的關(guān)鍵材料供應(yīng)安全，已經(jīng)成為了中國政府一項重要的政策目標(biāo)。而在半導(dǎo)體制造的世界里，就有這么一種材料，它的關(guān)鍵性地位堪比光刻機(jī)本身，那便是光刻膠。

這種對紫外線敏感的聚合物，不僅是芯片生產(chǎn)的核心，更是科技自主的生命線。隨著全球科技競爭的日益激烈，光刻膠的供需矛盾已經(jīng)逐漸顯現(xiàn)，已經(jīng)成了制約半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。尤其是在中國，面對國際市場的封鎖與層層技術(shù)壁壘，如何攻克高端光刻膠的瓶頸，已然成為國家科技戰(zhàn)略的重中之重。

重要的戰(zhàn)略物資

光刻膠（Photoresist）也叫光致抗蝕劑，在半導(dǎo)體制造、顯示器面板和印刷電路板（PCB）制造等精密微細(xì)加工領(lǐng)域中扮演著十分重要的角色。它通過光照圖案化，使得特定區(qū)域發(fā)生化學(xué)變化，從而實現(xiàn)電路或器件結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移。作為集成電路制造過程中的核心材料，光刻膠決定了芯片的精密程度和生產(chǎn)的良率。

在芯片制造流程中，硅片表面會被均勻涂覆一層光刻膠，隨后利用掩膜版進(jìn)行曝光。根據(jù)曝光后發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，光刻膠分為正性和負(fù)性兩種類型。對于正性光刻膠而言，受光照射部分會在顯影過程中被溶解去除；而對于負(fù)性光刻膠，未受光照的部分則會被顯影液溶解。這一過程精確地復(fù)制了所需的圖形，并將其“蝕刻”到硅片上，構(gòu)成芯片制造的關(guān)鍵步驟之一。

光刻膠的工作機(jī)制

按曝光波長的不同，光刻膠可以進(jìn)一步被細(xì)分為G線光刻膠（436nm）、I線光刻膠（365nm）、KrF光刻膠（248nm）、ArF光刻膠（193nm）以及EUV光刻膠（13.5nm）。隨著光刻技術(shù)的演進(jìn)，光刻膠的工藝也需要持續(xù)革新，來匹配更短波長的光源需求，設(shè)計新的聚合物體系，降低光吸收率并提升對光的敏感度。

G線光刻膠主要用于較大線寬的微電子加工，在印制電路板（PCB）等領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用；I線光刻膠相較于G線可實現(xiàn)更小的特征尺寸，常用于MEMS、LCD、LED等領(lǐng)域；KrF光刻膠是較早應(yīng)用于深紫外光刻（DUV）的主要光刻膠，與KrF準(zhǔn)分子激光光源搭配使用，可獲得更高分辨率；ArF光刻膠與ArF準(zhǔn)分子激光配合使用，可進(jìn)一步縮小特征尺寸，是DUV工藝的核心技術(shù)之一，被廣泛應(yīng)用于90nm、65nm、45nm及更先進(jìn)的制程節(jié)點；而EUV光刻膠則采用極紫外光（EUV）作為曝光光源，用于7nm及以下更先進(jìn)制程（如5nm、3nm等）。

極短波長帶來極高分辨率，但也意味著光源、掩膜、光學(xué)系統(tǒng)和光刻膠材料等方面都面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。每一次波長的減小都伴隨著光刻膠的工藝升級和設(shè)備迭代，而光刻膠的工藝升級和技術(shù)迭代又反過來，成為推動半導(dǎo)體制造不斷向摩爾定律極限逼近的重要動力。

正在逼近的風(fēng)險

在全球光刻膠市場中，美日企業(yè)長期以來占據(jù)了主導(dǎo)地位。特別是日本的合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、信越化學(xué)和住友化學(xué)等公司，它們不僅是該領(lǐng)域的核心供應(yīng)商，在高端半導(dǎo)體光刻膠市場上，日本企業(yè)更是占據(jù)著約80%的壓倒性份額。這些企業(yè)憑借深厚的技術(shù)積淀和持續(xù)的研發(fā)投入，不僅掌握了光刻膠的關(guān)鍵技術(shù)，還引領(lǐng)了行業(yè)的進(jìn)步方向。

亞洲地區(qū)作為全球半導(dǎo)體制造活動最為集中的區(qū)域，自然而然地成為了光刻膠需求的最大市場。尤其在中國大陸，隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛擴(kuò)張，對光刻膠的需求量出現(xiàn)了驚人的增長。從2019年至2023年期間，中國光刻膠市場的年均復(fù)合增長率達(dá)到了23%，市場規(guī)模達(dá)到了121億元人民幣，占據(jù)了全球光刻膠總銷售額的五分之一，且這個比例還在不斷上升。

中國也有自己的光刻膠產(chǎn)業(yè)，但因為起步較晚，產(chǎn)品主要集中在中低端市場。比如在比較基礎(chǔ)的PCB（印刷電路板）光刻膠領(lǐng)域，中國的產(chǎn)值已經(jīng)占到了全球的70%以上；而在顯示面板用光刻膠領(lǐng)域，國產(chǎn)品牌則占據(jù)了大約35%的市場份額，但仍以中低端產(chǎn)品為主，對于高世代線面板所需的彩色和黑色光刻膠這類高端產(chǎn)品，中國市場依然嚴(yán)重依賴進(jìn)口。至于最為復(fù)雜且至關(guān)重要的半導(dǎo)體光刻膠，中國幾乎完全依靠國外供應(yīng)，尤其是在EUV（極紫外）光刻膠方面，國產(chǎn)化率為0，而KrF和ArF光刻膠的國產(chǎn)化率也分別只有1-2%和不足1%，g線、i線光刻膠則稍好一些，但也僅達(dá)到10%左右的國產(chǎn)化率。

隨著中國半導(dǎo)體行業(yè)向更精細(xì)的制程節(jié)點邁進(jìn)，如28納米、14納米甚至更小尺寸的工藝，對高端光刻膠的需求也隨之水漲船高。一方面，在當(dāng)前中國面臨EUV極紫外光刻技術(shù)受限的大背景下，通過多重曝光和浸沒式光刻技術(shù)已經(jīng)成為了國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破技術(shù)節(jié)點的關(guān)鍵路徑，而這進(jìn)一步增加了對高質(zhì)量光刻材料的需求。在另一方面，存儲芯片中閃存芯片推進(jìn)3D NAND、內(nèi)存芯片技術(shù)節(jié)點持續(xù)升級、邏輯芯片轉(zhuǎn)向FinFET結(jié)構(gòu)等新的行業(yè)趨勢，也對光刻材料提出了更高的要求，促使光刻材料持續(xù)演進(jìn)。

高端國產(chǎn)光刻膠產(chǎn)品供給的短缺，已經(jīng)成為制約行業(yè)發(fā)展的瓶頸。面對國際上日益嚴(yán)峻的地緣政治環(huán)境和技術(shù)封鎖，提高光刻膠國產(chǎn)化水平對于保障中國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的安全至關(guān)重要。

2019年，日本政府宣布加強對包括光刻膠在內(nèi)的三種關(guān)鍵材料的出口管制，并將韓國從友好國家“白名單”中剔除，直接對韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成了巨大的影響，三星、SK海力士等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨停產(chǎn)風(fēng)險，日均虧損高達(dá)5萬億韓元，遭受了嚴(yán)重的打擊，直到2023年，日本才恢復(fù)對韓國半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的出口。

這一舉措引發(fā)了全球?qū)τ诠?yīng)鏈安全的關(guān)注，也警示了中國也可能面臨的類似風(fēng)險。雖然日本方面針對中國光刻材料的出口限制措施尚未大規(guī)模實施，但近年來美國對中國高科技產(chǎn)業(yè)的打壓，已經(jīng)顯著增加了這種可能性。

2022年10月，美國政府出臺了一項新的出口管制政策，明確禁止向中國出口用于半導(dǎo)體制造工藝中的特定設(shè)備以及相關(guān)中間材料。這直接影響到了美國杜邦公司，導(dǎo)致該公司隨后減少了對中國的光刻膠供應(yīng)，特別是那些應(yīng)用于先進(jìn)制程的ArF（氟化氬）光刻膠和高端KrF（氟化氪）光刻膠。

2023年7月，日本政府實施新的出口管制措施，將涉及清洗、成膜、熱處理、曝光、蝕刻和檢測等23種類別的先進(jìn)芯片制造設(shè)備被納入到出口管制清單中。雖然出于市場考慮，日本并未出臺針對中國光刻膠的大范圍出口管制，但日本政府還是通過一些其他的方式，強化了對光刻膠的管控。在早些時候的6月26日，由日本政府支持的日本產(chǎn)業(yè)革新投資機(jī)構(gòu)（JIC）同意以9093億日元的價格，收購全球最大的光刻膠供應(yīng)商JSR，進(jìn)一步強化了政府對光刻膠這一關(guān)鍵材料的直接控制。

日本經(jīng)產(chǎn)省修訂出口管制措施

路透社曾在2024年3月報道，美國正通過外交渠道游說、施壓其他國家和地區(qū)加入其行列，以減少對中國的技術(shù)和材料出口。具體來說，美國呼吁日本與荷蘭加強對華半導(dǎo)體產(chǎn)品的控制，特別是要求日本限制對中國的光刻膠產(chǎn)品的銷售。而在同年10月，美國眾議院中國問題特別委員會再次敦促日本，要求其強化對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的出口管制，并“嚴(yán)厲警告”說如果日本不響應(yīng)號召，可能會面臨美國對其國內(nèi)公司的不利行動。而日經(jīng)新聞網(wǎng)在隨后報道，美國政府計劃在總統(tǒng)大選之后繼續(xù)施壓日本，確保其參與更為嚴(yán)格的出口管制體系，特別是針對中國市場的光刻膠銷售。

這些事態(tài)發(fā)展凸顯了中國在未來可能遭遇更嚴(yán)格進(jìn)口限制的風(fēng)險。高端光刻膠的保質(zhì)期普遍比較短，只有半年左右，無法大量囤貨。如果原材料供應(yīng)端出現(xiàn)問題，比如國際貿(mào)易摩擦導(dǎo)致的供應(yīng)中斷或限制，將對國內(nèi)光刻膠企業(yè)的正常研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生非常大的影響。無論是出于應(yīng)對外部壓力還是滿足自身發(fā)展的需求，建立一個自主可控的光刻膠產(chǎn)業(yè)都已經(jīng)變得尤為迫切。

技術(shù)、原料、市場與客戶壁壘

但光刻膠的研發(fā)是一個復(fù)雜且多面性的過程，它不僅涉及到精細(xì)化工領(lǐng)域的配方技術(shù)，還涵蓋了質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)等方面的專業(yè)知識。這一領(lǐng)域的發(fā)展需要長時間的技術(shù)積淀，合成工藝與配方設(shè)計的難度極高，一款成功的光刻膠產(chǎn)品背后，往往凝聚著數(shù)十年的研究成果和無數(shù)次試驗的結(jié)晶。

特別是近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，特別是FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)工藝和3D NAND閃存堆棧工藝等先進(jìn)工藝的應(yīng)用，對光刻膠的要求也愈發(fā)嚴(yán)格。這些新工藝要求光刻膠不僅在常規(guī)條件下表現(xiàn)出色，還要在特殊情況下保持良好的穩(wěn)定性和一致性，以確保高分辨率圖形轉(zhuǎn)移的精度和可靠性。此外，為了適應(yīng)更細(xì)小的特征尺寸，光刻膠必須具備更高的敏感性和更低的缺陷率，這些都對光刻膠的研發(fā)提出了更大的挑戰(zhàn)。

但中國光刻膠產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)還不止于此，在國內(nèi)市場上，能提供符合電子級標(biāo)準(zhǔn)的光刻膠原料供應(yīng)商屈指可數(shù)，大量關(guān)鍵的原材料仍然依賴從外部進(jìn)口，這不僅增加了生產(chǎn)的成本，也為整個光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈的安全性提出了潛在的挑戰(zhàn)。

但在光刻膠這一高度專業(yè)化的領(lǐng)域，技術(shù)的復(fù)雜性和原料的進(jìn)口依賴只是其諸多挑戰(zhàn)中的一部分，市場準(zhǔn)入和客戶關(guān)系還構(gòu)成了另外兩座難以跨越的大山。

光刻膠是一個同時有著“高研發(fā)成本”和“低規(guī)模效應(yīng)”這兩大特點的產(chǎn)業(yè)。光刻膠產(chǎn)品通常有著高度“定制化”的特點，不光是不同客戶會有不同的應(yīng)用需求，就算是同一個客戶，也會有著不同的光刻應(yīng)用需求。一個典型的半導(dǎo)體芯片制造流程，可能需要經(jīng)歷10到50次的光刻步驟。由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，就算是相似的光刻過程，不同的制造商也會有不同的要求。這種多樣性不僅增加了生產(chǎn)的復(fù)雜度，也限制了光刻膠生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，難以通過大規(guī)模生產(chǎn)來降低成本。

正因為如此，光刻膠企業(yè)必須與晶圓制造廠商緊密合作，針對特定的應(yīng)用進(jìn)行定制化的產(chǎn)品開發(fā)，不僅要提供標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，還需根據(jù)客戶需求調(diào)整配方或設(shè)計新的解決方案。對于光刻膠的制造商來說，能夠根據(jù)不同應(yīng)用需求靈活調(diào)整配方的能力，才是其真正的“核心競爭力”，少數(shù)來自日本和美國的化學(xué)巨頭正是憑借著其強大的創(chuàng)新和定制能力，長期占據(jù)著全球光刻膠市場的主導(dǎo)地位，幾乎不存在潛在的競爭者。相比之下，受規(guī)模和資源所限，中國的光刻膠企業(yè)在研發(fā)投入和技術(shù)專利數(shù)量上與國際同行有著比較大的差距。

政策扶持推動突破

在過去幾年，中國的光刻膠產(chǎn)業(yè)取得了一些比較顯著的進(jìn)展，這在很大程度上得益于國家層面的戰(zhàn)略支持和政策導(dǎo)向。早在“十二五”規(guī)劃期間（2011-2015年），中國就通過“02專項”——即《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》項目，給予了國產(chǎn)光刻膠研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的大力扶持，旨在減少對進(jìn)口光刻膠的依賴，推動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

“02專項”為國產(chǎn)光刻膠的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化注入了強大的動力，對許多當(dāng)初決心進(jìn)入這一領(lǐng)域的初創(chuàng)企業(yè)提供了寶貴的“救命錢”。如今國產(chǎn)光刻膠行業(yè)的龍頭，北京科華微電子材料有限公司（現(xiàn)隸屬于彤程新材料集團(tuán)）的經(jīng)歷，就是這一發(fā)展歷程中的一個典型代表。

2004年，北京科華微電子創(chuàng)業(yè)時，決定用花五年時間，在國內(nèi)建成當(dāng)時最先進(jìn)的G/I線光刻膠生產(chǎn)線。當(dāng)時北京科華手里有的，只有創(chuàng)始人東拼西湊來的1000萬美元創(chuàng)業(yè)資金。但由于國內(nèi)缺乏相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈支持和專業(yè)人才，光刻膠工廠的過程遠(yuǎn)比預(yù)期中的艱難，建廠費用嚴(yán)重超支，原本計劃12月完成的建廠工作，最后花了30個月才完成。2009年，北京科華微電子建成國內(nèi)首條G/I線光刻膠產(chǎn)線時，手上的1000萬美元創(chuàng)業(yè)資金早已被燒完。就在最困難的時候，國家的“02專項”伸出了援手，幫助科華微電子渡過了難關(guān)。

2010年，科華微電子作為02專項——即國家科技重大專項《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》的承接單位，獲得了超過1億元人民幣的資金支持。有了這筆科研經(jīng)費的支持，科華微電子不僅在三年內(nèi)成功建立了國內(nèi)第一條KrF光刻膠生產(chǎn)線，還逐步贏得了本土8英寸和12英寸晶圓客戶的信任。經(jīng)過了幾年的小規(guī)模生產(chǎn)，2017年，科華微電子實現(xiàn)了KrF光刻膠產(chǎn)線的大規(guī)模量產(chǎn)，并初步完成了進(jìn)口替代，成為國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)的主要供應(yīng)商之一。2020年，北京科華被彤程新材收購，公司在技術(shù)和資源方面得到了進(jìn)一步的增強。截至今年上半年，彤程新材已經(jīng)在ArF光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)上取得了顯著成就，達(dá)到了量產(chǎn)能力，并開始連續(xù)接單并產(chǎn)生收入，成為了推動其營收增長的主要力量。

北京科華微電子

另一家國產(chǎn)光刻膠企業(yè)，南大光電同樣受益于“02專項”。在2017年和2018年，南大光電分別承擔(dān)了兩個關(guān)鍵的02專項項目，專注于高分辨率光刻膠和先進(jìn)封裝光刻膠的研發(fā)以及ArF光刻膠的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。這些項目在隨后的幾年里通過了專家組的驗收，不僅實現(xiàn)了國產(chǎn)ArF光刻膠的產(chǎn)品驗證和技術(shù)突破，還促成了三款產(chǎn)品在市場上獲得認(rèn)可并實現(xiàn)銷售。而近期準(zhǔn)備上市的廈門恒坤新材，也是在2020年開始承接了國家02專項的重大課題，并在2023年結(jié)題通過驗收，打破了境外廠商對集成電路關(guān)鍵材料壟斷。隨著越來越多的企業(yè)加入到光刻膠技術(shù)的自主研發(fā)行列，中國的半導(dǎo)體行業(yè)正朝著更加獨立和可持續(xù)的方向邁進(jìn)。

而在國產(chǎn)化率為零的EUV光刻膠領(lǐng)域，今年也有一些新的進(jìn)展。4月份，湖北的九峰山實驗室與華中科技大學(xué)攜手的研究團(tuán)隊成功攻克了“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)難題，完成了初步的工藝驗證和技術(shù)指標(biāo)優(yōu)化。這項自主創(chuàng)新的光刻膠體系有望為解決光刻制造中的共性問題提供方向，并為EUV光刻膠的發(fā)展提供了強有力的技術(shù)儲備，預(yù)示著中國在高端光刻膠自主研發(fā)方面邁出了重要一步。

盡管在技術(shù)研發(fā)上取得了顯著的進(jìn)步，但在將這些技術(shù)轉(zhuǎn)化為市場應(yīng)用的過程中，國產(chǎn)光刻膠企業(yè)仍然面臨著諸多挑戰(zhàn)。

光刻膠行業(yè)的下游客戶主要是晶圓制造廠商，由于光刻膠的質(zhì)量直接關(guān)系到芯片的性能和良率等核心指標(biāo)，任何錯誤都可能導(dǎo)致高昂的成本，因此下游的晶圓廠在選擇供應(yīng)商時，往往極其謹(jǐn)慎，要求極為嚴(yán)格。

為了進(jìn)入市場，一款新的光刻膠產(chǎn)品必須經(jīng)歷一個嚴(yán)苛而冗長的認(rèn)證流程。這個過程包括但不限于PRS（性能驗證）、STR（小批量試產(chǎn)）、MSTR（大批量試產(chǎn)）以及最終的Release（正式供貨），每個階段都需要確保光刻膠在不同條件下的穩(wěn)定性和一致性，以證明其可以滿足工業(yè)生產(chǎn)的高標(biāo)準(zhǔn)要求。整個認(rèn)證周期通常需要長達(dá)兩年的時間，這對新進(jìn)企業(yè)來說是一個巨大的時間和資源投入。

一旦通過所有嚴(yán)格的驗證程序并成功進(jìn)入批量供貨階段，光刻膠供應(yīng)商與客戶之間便會建立起一種基于信任和技術(shù)可靠性穩(wěn)固的合作關(guān)系。更換供應(yīng)商不僅需要承擔(dān)新增的驗證成本，還可能影響到現(xiàn)有的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，因此制造商對此會格外慎重。除非新進(jìn)企業(yè)在研發(fā)水平、生產(chǎn)能力、質(zhì)量控制、價格優(yōu)勢和服務(wù)質(zhì)量等方面展現(xiàn)出壓倒性的競爭力，否則很難撼動已有的供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)。面對日本和美國化工巨頭長期以來形成的壟斷局面，中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)沒有別的選擇，只能靠自身過硬的產(chǎn)品品質(zhì)和服務(wù)，才能贏得客戶的認(rèn)可，打破這一格局。

可以毫不夸張地說，作為“后來者”，國產(chǎn)光刻膠企業(yè)所面臨的市場要求和挑戰(zhàn)，絲毫不低于國際上頂尖的日本、美國企業(yè)。對于中國供應(yīng)商來說，想要擠入高端光刻膠這一競爭激烈的領(lǐng)域，前方的道路仍然充滿了挑戰(zhàn)。只有通過不斷地努力和創(chuàng)新，才能逐漸縮小與國際先進(jìn)水平之間的差距，并最終在全球競爭中占據(jù)一席之地。這不僅是技術(shù)上的較量，也將是對耐心和毅力的考驗。

本文系觀察者網(wǎng)獨家稿件，文章內(nèi)容純屬作者個人觀點，不代表平臺觀點，未經(jīng)授權(quán)，不得轉(zhuǎn)載，否則將追究法律責(zé)任。關(guān)注觀察者網(wǎng)微信guanchacn，每日閱讀趣味文章。