據(jù)中國貿(mào)易救濟信息網(wǎng)7月29日消息，美國英飛凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美國英飛凌技術(shù)奧地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根據(jù)《美國1930年關(guān)稅法》第337節(jié)規(guī)定于7月26日向美國際貿(mào)易委員會（ITC）提出申請，指控中國氮化鎵（GaN）芯片廠商英諾賽科及其子公司對美出口、在美進口及銷售的特定半導(dǎo)體器件及其下游產(chǎn)品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其專利，違反了美國337條款。

中國江蘇英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司、中國江蘇英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司、中國廣東英諾賽科（珠海）科技有限公司、美國Innoscience America, Inc. of Santa Clara, CA為列名被告。

英飛凌科技股份公司在當(dāng)?shù)貢r間26日發(fā)布消息稱，擴大了2024年7月23日在加州北區(qū)地方法院審理的訴訟，增加了對珠海英諾賽科科技有限公司、Innoscience America,Inc.及其附屬公司的索賠，指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項涉及氮化鎵技術(shù)的專利。此外，英飛凌同時向美國國際貿(mào)易委員會（USITC）提起訴訟，其中包含涉及訴訟涉及的相同四項專利的法律索賠。

英飛凌尋求對侵犯其擁有的氮化鎵技術(shù)的美國專利的永久禁令。據(jù)英飛凌官方消息稱，該專利權(quán)涵蓋了氮化鎵功率半導(dǎo)體的核心方面，這對英飛凌專有的“氮化鎵功率晶體管”（proprietary GaN power transistors）的性能和可靠性的實現(xiàn)至關(guān)重要。

2024年3月14日，英飛凌已向美國加州北區(qū)地方法院對英諾賽科提起專利侵權(quán)訴訟。6月4日，英飛凌又向德國慕尼黑地方法院對英諾賽科及其分銷商提起相應(yīng)訴訟，并成功申請了慕尼黑地方法院的初步禁令，禁令于今年6月12日發(fā)布。根據(jù)該法院命令，英諾賽科不得在紐倫堡的“PCIM Europe2024”展會上展示涉侵權(quán)產(chǎn)品。

根據(jù)Frost & Sullivan公司的資料，2023年，英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一，市場份額達33.7%。然而其招股書顯示，近三年其凈利潤連年虧損。

英諾賽科自2022年開始積極擴充氮化鎵產(chǎn)品的全球銷售網(wǎng)絡(luò)，開拓海外市場，計劃在海外設(shè)立綜合研發(fā)及生產(chǎn)中心，并建立銷售中心。然而這需要大量的技術(shù)開發(fā)工作，在持續(xù)虧損之下，不得不削減了研發(fā)費用。而國外競爭對手也頻頻發(fā)難。除了英飛凌多地提訴，5月美國氮化鎵公司宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）也稱其四項美國專利遭到英諾賽科侵權(quán)。

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