【文/觀察者網(wǎng) 呂棟 編輯/周遠方】

8月3日午后，A股半導(dǎo)體概念持續(xù)上揚，半導(dǎo)體指數(shù)盤中漲近6%，收盤漲逾3%；重倉半導(dǎo)體的基金“諾安成長混合”盤中最高漲超4%，收盤漲幅收窄至3%左右。

大型晶圓代工廠中，中芯國際A股收漲近7%，港股漲超4%；華虹半導(dǎo)體港股收漲近3%。

有券商分析指出，美國近期通過芯片法案，將為美國半導(dǎo)體制造提供520億美元補貼，而該法案要求獲補助的公司，10年內(nèi)不得在中國大陸大幅增產(chǎn)比28nm更先進的芯片，這一消息或推動半導(dǎo)體國產(chǎn)化加速。

就在8月2日，臺媒傳出竄訪臺灣的佩洛西可能會與臺積電董事長劉德音討論美國芯片法案，而劉德音日前直言“如果發(fā)生戰(zhàn)爭，臺積電將無法運作”，凸顯出地緣政治局勢對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響。

有業(yè)內(nèi)人士近日向觀察者網(wǎng)指出，過去兩年的全球芯片短缺，疊加某些國家的“逆全球化”政策，導(dǎo)致這些半導(dǎo)體巨頭或主動或被動地宣布擴產(chǎn)計劃，甚至要把生產(chǎn)基地搬遷到最大市場之外。如果之后整個行業(yè)需求沒有增加，甚至出現(xiàn)下降，這些公司將會面臨額外的壓力。

諾安成長混合8月3日走勢

8月3日，在A股半導(dǎo)體細分領(lǐng)域中，漲幅最高的是EDA（電子設(shè)計自動化）概念，華大九天午后漲近26%，概倫電子盤中漲幅也在20%左右。即便尾盤有所回落，兩家公司收盤漲幅也均超過15%。

消息層面，美國科技媒體“Protocol”8月2日報道稱，美國政府準(zhǔn)備對用于設(shè)計半導(dǎo)體的特定類型EDA軟件實施新的出口限制，這種軟件利用的新一代技術(shù)對設(shè)計和制造最先進的人工智能芯片至關(guān)重要。新的出口限制可能在未來幾周實施，拜登政府仍在敲定具體限制細節(jié)。

這或許是刺激國產(chǎn)EDA概念大幅上漲的重要原因。賽迪智庫數(shù)據(jù)顯示，2020年Synopsys、Cadence和Mentor（已改名Seimens EDA）三大美國EDA巨頭合計占據(jù)國內(nèi)約80%的市場份額，國產(chǎn)EDA企業(yè)的份額僅11.5%，其中華大九天國內(nèi)份額約6%。

EDA之外，光刻膠概念也持續(xù)走強，新萊應(yīng)材大漲超15%創(chuàng)歷史新高，廣信材料、容大感光漲超10%，彤程新材漲停，芯源微、南大光電、安集科技、華特氣體、藍英裝備等跟漲。

南大光電近期在投資者互動平臺透露，該公司光刻膠項目所需的光刻車間已建成，項目所需的主要先進光刻設(shè)備，如ASML浸沒式光刻機等已經(jīng)完成安裝并投入使用；已經(jīng)生產(chǎn)出多款樣品發(fā)往下游客戶驗證，已具備ArF光刻膠及配套材料產(chǎn)業(yè)化的基本條件。

在去年的公告中，南大光電曾透露，該公司ArF光刻膠材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點的集成電路制造工藝，廣泛應(yīng)用于高端芯片制造（如邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等）；寧波南大光電已建成年產(chǎn)25噸ArF光刻膠產(chǎn)業(yè)化基地。

晶瑞電材則在今年7月底在投資者互動平臺透露，該公司KrF（248nm深紫外）光刻膠產(chǎn)品分辨率達到了0.25～0.13μm的技術(shù)要求，已通過部分重要客戶測試，KrF光刻膠生產(chǎn)及測試線已經(jīng)基本建成，設(shè)備正在安裝調(diào)試中，爭取今年批量供貨。

與光刻機配套，目前最高端的光刻膠也是EUV光刻膠，僅美日廠商實現(xiàn)了量產(chǎn)。就在今年5月，日本光刻膠巨頭JSR高管曾宣稱，“即使中國拿到一份關(guān)于（EUV光刻膠）化學(xué)成分細節(jié)的論文……，要在純度、精度和大規(guī)模量產(chǎn)方面實現(xiàn)成功也是非常困難的?！?

圖源：華經(jīng)情報網(wǎng)

材料之外，半導(dǎo)體設(shè)備概念也紛紛走高，中微公司盤中漲超7%，北方華創(chuàng)漲超9%，拓荊科技漲近8%。

市場傳出，2022年下半年，中微半導(dǎo)體的刻蝕機將運往臺積電美國工廠，用于5nm工藝芯片生產(chǎn)。

技術(shù)的進展之外，刺激股價的還有外部因素。7月31日，彭博社援引美國兩大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商泛林集團和科天的消息報道稱，美國政府正收緊對中國出口半導(dǎo)體制造設(shè)備的限制，禁止未經(jīng)許可向中國大陸芯片制造商出售大多數(shù)可以制造14nm或更先進制程芯片的設(shè)備。

8月1日，路透社又援引四位知情人士的消息報道稱，美國政府正考慮限制向中國大陸存儲芯片制造商出口可用于128層以上3D NAND閃存芯片制造的美國設(shè)備。長江存儲等中國存儲芯片廠商，以及在華設(shè)廠的韓國企業(yè)三星和SK海力士都可能受到波及。

值得一提的是，8月3日，長江存儲發(fā)布了基于晶棧?3.0（Xtacking?3.0）技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。按照供應(yīng)鏈信息，此次長江存儲發(fā)布的新品堆疊層數(shù)已達到232層，追上業(yè)界領(lǐng)先水平。

據(jù)CFM閃存市場統(tǒng)計，目前美光已開始量產(chǎn)232層NAND產(chǎn)品；SK海力士已向客戶發(fā)送238層512Gb TLC 4D NAND閃存樣品，并計劃在2023年上半年正式量產(chǎn)。另外，市場有消息稱三星或?qū)⒃?022年底或2023年上半年量產(chǎn)224層3D NAND；西部數(shù)據(jù)下一代BiCS 7的堆疊層數(shù)預(yù)計也將達到212層。

全球主要閃存芯片供應(yīng)商技術(shù)路線 圖源：CFM閃存市場

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