市場監(jiān)管總局反壟斷局網(wǎng)站12月22日消息，市場監(jiān)管總局收到SK海力士株式會社（以下簡稱SK海力士）收購英特爾公司部分業(yè)務(wù)（以下簡稱目標業(yè)務(wù)）案（以下簡稱本案）的經(jīng)營者集中反壟斷申報。經(jīng)審查，市場監(jiān)管總局決定附加限制性條件批準此項經(jīng)營者集中。根據(jù)《中華人民共和國反壟斷法》（以下簡稱《反壟斷法》）第三十條規(guī)定，現(xiàn)公告如下：

一、立案和審查程序

2020年12月15日，市場監(jiān)管總局收到本案經(jīng)營者集中反壟斷申報。經(jīng)審核，市場監(jiān)管總局認為該申報材料不完備，要求申報方予以補充。2021年3月22日，市場監(jiān)管總局確認經(jīng)補充的申報材料符合《反壟斷法》第二十三條規(guī)定，對此項經(jīng)營者集中予以立案并開始初步審查。2021年4月21日，市場監(jiān)管總局決定對此項經(jīng)營者集中實施進一步審查。2021年7月20日，經(jīng)申報方同意，市場監(jiān)管總局決定延長進一步審查期限。2021年9月15日，進一步審查延長階段屆滿前，申報方申請撤回案件并得到市場監(jiān)管總局同意。2021年9月18日，市場監(jiān)管總局對申報方的再次申報予以立案審查。目前，本案處于進一步審查階段，截止日期為2022年1月15日。市場監(jiān)管總局認為，此項集中對全球和中國境內(nèi)PCIe企業(yè)級固態(tài)硬盤市場、SATA企業(yè)級固態(tài)硬盤市場具有或可能具有排除、限制競爭效果。在審查過程中，市場監(jiān)管總局征求了有關(guān)政府部門、行業(yè)協(xié)會、同業(yè)競爭者及下游客戶意見，了解相關(guān)市場界定、市場參與者、市場結(jié)構(gòu)、行業(yè)特征等方面信息，并對申報方提交的文件、材料真實性、完整性和準確性進行了審核。

二、案件基本情況

收購方：SK海力士于1983年在韓國注冊成立，1996年在韓國證券交易所上市，股權(quán)分散，無最終控制人，主要從事內(nèi)存、固態(tài)硬盤和圖像傳感器相關(guān)業(yè)務(wù)。

被收購方：目標業(yè)務(wù)系英特爾公司存儲業(yè)務(wù)的一部分，最終控制人為英特爾公司，主要從事NAND閃存、固態(tài)硬盤相關(guān)業(yè)務(wù)。

2020年10月19日，交易各方簽署協(xié)議。集中完成后，SK海力士單獨控制目標業(yè)務(wù)。

三、相關(guān)市場

（一）相關(guān)商品市場。

經(jīng)審查，SK海力士和目標業(yè)務(wù)在PCIe企業(yè)級固態(tài)硬盤市場、SATA企業(yè)級固態(tài)硬盤、客戶級固態(tài)硬盤和NAND閃存市場存在橫向重疊。同時，SK海力士還從事上游DRAM業(yè)務(wù)，與下游固態(tài)硬盤存在縱向關(guān)系，而NAND閃存與固態(tài)硬盤同樣存在縱向關(guān)系。

1.客戶級固態(tài)硬盤。固態(tài)硬盤是以集成電路組件為基礎(chǔ)的硬盤，主要由閃存、控制器和電源管理芯片等組成。根據(jù)終端應(yīng)用不同，固態(tài)硬盤可分為企業(yè)級固態(tài)硬盤和客戶級固態(tài)硬盤。企業(yè)級固態(tài)硬盤具有更高的容量密度，更快的數(shù)據(jù)讀寫速度和更低的錯誤風(fēng)險，主要用于數(shù)據(jù)中心等高負荷應(yīng)用領(lǐng)域?？蛻艏壒虘B(tài)硬盤主要用于個人電腦等低負荷應(yīng)用領(lǐng)域。二者性能不同，相互間缺乏替代關(guān)系。本案將客戶級固態(tài)硬盤界定為獨立的相關(guān)商品市場。

2.企業(yè)級固態(tài)硬盤。根據(jù)接口不同，企業(yè)級固態(tài)硬盤分為PCIe企業(yè)級固態(tài)硬盤、SAS企業(yè)級固態(tài)硬盤和SATA企業(yè)級固態(tài)硬盤等。不同接口固態(tài)硬盤讀取和寫入速度不同，實際應(yīng)用中性能表現(xiàn)差異較大，相互間缺乏替代關(guān)系。本案將PCIe企業(yè)級固態(tài)硬盤、SATA企業(yè)級固態(tài)硬盤界定為獨立的相關(guān)商品市場。

3.NAND閃存。閃存是一種非易失性存儲器，在斷電情況下能夠保留所存儲數(shù)據(jù)。根據(jù)設(shè)計結(jié)構(gòu)不同，閃存主要分為NAND閃存和NOR閃存。NAND閃存中的存儲單元以串聯(lián)方式相連，適用于低成本、高密度、高速編程或擦除的數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用，如固態(tài)硬盤。NOR閃存中的存儲單元以并聯(lián)方式相連，適用于低密度、低容量、高速讀取的代碼存儲應(yīng)用，如嵌入式系統(tǒng)的程序存儲。兩者在特性和用途上存在區(qū)別，相互間缺乏替代關(guān)系。本案將NAND閃存界定為獨立的相關(guān)商品市場。

4.DRAM。RAM是一種易失性存儲器，數(shù)據(jù)在斷電時丟失。根據(jù)數(shù)據(jù)存儲方式不同，RAM主要分為SRAM和DRAM。SRAM使用晶體管存儲數(shù)據(jù)，通常用于對速度要求較高的應(yīng)用中。DRAM主要使用電容器存儲數(shù)據(jù)，通常用于計算機內(nèi)存、顯卡等電子產(chǎn)品。二者價格和速度不同，相互間缺乏替代關(guān)系。本案將DRAM界定為獨立的相關(guān)商品市場。

（二）相關(guān)地域市場。

本案所涉相關(guān)商品均在全球范圍內(nèi)供應(yīng)和采購，供應(yīng)商在全球范圍內(nèi)展開競爭，產(chǎn)品在不同國家不存在明顯價格差異，且產(chǎn)品運費占最終售價比例較低，不存在顯著跨境貿(mào)易壁壘。因此，上述商品的相關(guān)地域市場界定為全球，同時考察中國境內(nèi)市場的情況。

四、競爭分析